半导体材料  051M1004H

学期:2017—2018学年(春)第二学期 | 课程属性:一级学科核心课 | 任课教师:刘峰奇,张兴旺,金鹏,赵有文,王利军
授课时间: 星期四, 第3、4节
授课地点: 教1-209
授课周次: 1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16
授课时间: 星期二, 第3、4节
授课地点: 教1-209
授课周次: 1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16
授课时间: 星期二, 第3、4节
授课地点: 教1-209
授课周次: 1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16
授课时间: 星期四, 第3、4节
授课地点: 教1-209
授课周次: 1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16
课程编号: 051M1004H 课时: 60 学分: 3.0
课程属性: 一级学科核心课 主讲教师:刘峰奇,张兴旺,金鹏,赵有文,王利军
英文名称: Semiconductor Materials

教学目的、要求


				

预修课程

教 材

主要内容

绪论
第一章:元素半导体材料锗和硅
        1. 锗和硅的基本性质
        2. 高纯锗和硅的制备
        3. 晶体生长理论基础
        4. 锗和硅单晶生长
第二章:III-V族化合物半导体材料
        1. GaAs单晶材料
        2. InP单晶材料
        3. InAs单晶材料
4. GaSb单晶材料
5. 其他III-V族化合物半导体单晶材料
第三章:半导体外延生长
        1. 金属有机物化学气相沉积(MOCVD)
        2. 分子束外延生长(MBE)
        3. 其它外延生长
第四章:低维结构半导体材料
        1. 量子阱/超晶格材料
        2. 量子线材料
3. 量子点材料
4. 硅基IV族异质外延
5. 硅基化合物半导体外延材料
第五章:III族氮化物半导体材料
        1. Ⅲ族氮化物半导体的基本特征
        2. Ⅲ族氮化物的晶体结构
        3. Ⅲ族氮化物的极化特征
        4. Ⅲ族氮化物材料的制备
        5. Ⅲ族氮化物典型异质结构
第六章:几个典型的宽带隙导体材料
        1. SiC半导体材料
        2. 半导体金刚石
        3. BN半导体材料
第七章:II-VI族化合物半导体材料
        1. II-VI族化合物单晶制备
        2. HgCdTe的基本性质
        3. HgCdTe材料制备
        4. ZnO的基本性质和单晶制备
        5. ZnO薄膜外延与掺杂
第八章:其它半导体材料
        1. 有机半导体材料
        2. 二维原子晶体材料
        3. 能源半导体材料

参考文献