宽禁带半导体光电子材料与器件  051M5081H

学期:2017—2018学年(春)第二学期 | 课程属性:专业普及课 | 任课教师:赵德刚,朱建军
授课时间: 星期五, 第3、4节
授课地点: 教1-134
授课周次: 7、8、9、10、11、12、13、14、15、16
授课时间: 星期二, 第3、4节
授课地点: 教1-134
授课周次: 7、8、9、10、11、12、13、14、15、16
课程编号: 051M5081H 课时: 40 学分: 2.0
课程属性: 专业普及课 主讲教师:赵德刚,朱建军
英文名称: wide bandgap semiconductor optoelectronic materials and devices

教学目的、要求

本课程为半导体和材料学科各专业硕士生和博士生的普及课,是进一步深入学习和理解半导体材料、半导体激光器、半导体探测器等知识的专业普及课。主要授课对象是光电子、微电子和材料专业的学生,物理专业的学生也可以选学。通过此课程获得获得宽禁带半导体光电子材料和器件方面的知识,了解当今国际半导体的研究前沿和热点。内容主要是氮化镓发光二极管、氮化镓激光器、氮化镓探测器等。

预修课程

固体物理、半导体物理、半导体器件物理等方面具有一定的基础。

教 材

主要内容

第一章  宽禁带半导体概论   介绍氮化镓等宽禁带半导体基本知识 2学时;第二章  宽禁带半导体材料生长基本原理   介绍半导体材料生长基本知识、金属有机化合物气相淀积系统(MOCVD)以及氮化镓材料生长基本过程 12学时;第三章  氮化镓发光二极管   介绍半导体发光二极管的基本原理及氮化镓发光二极管的知识  6学时;第四章  氮化镓激光器  介绍半导体激光器的基本原理及氮化镓激光器的知识  8学时;第五章  氮化镓探测器  介绍半导体探测器的基本原理及氮化镓探测器的知识  6学时;第六章 宽禁带半导体展望  2学时   实验与讨论:4个学时。

参考文献