宽禁带半导体电子器件  051M5100H

学期:2017—2018学年(春)第二学期 | 课程属性:专业普及课 | 任课教师:王晓亮,张峰
授课时间: 星期三, 第5、6、7节
授课地点: 教1-324
授课周次: 7、8、9、10、11、12、13、14
授课时间: 星期五, 第5、6、7节
授课地点: 教1-324
授课周次: 7、8、9、10、11、12、13、14
授课时间: 星期三, 第5、6、7节
授课地点: 教1-324
授课周次: 7、8、9、10、11、12、13、14
授课时间: 星期五, 第5、6、7节
授课地点: 教1-324
授课周次: 7、8、9、10、11、12、13、14
课程编号: 051M5100H 课时: 40 学分: 2.0
课程属性: 专业普及课 主讲教师:王晓亮,张峰
英文名称: Wide bandgap semiconductor electronic devices

教学目的、要求

本课程为微电子与固体电子学、物理电子学、电力电子与电力传动、电磁场与微波技术、材料物理与化学等方向硕士生和博士生的专业普及课。宽禁带半导体是继以硅为代表的第一代半导体和以砷化镓为代表的第二代半导体之后发展起来的第三代半导体。宽禁带半导体禁带宽度大、临界击穿场强高、耐高温、抗辐照,特别适合制备新一代微波功率器件和电力电子器件。本课程将重点讲述宽禁带半导体碳化硅及氮化镓电子器件的研究进展、工作原理、制备工艺、及相关特性等,目的是为从事半导体材料和器件科研、教学、生产的研究生普及相关知识。课程内容包括碳化硅、氮化镓基材料的制备,电子器件的结构和原理,电子器件的制备及性能,功率器件的封装及可靠性等。

预修课程

半导体物理、半导体器件物理

教 材

主要内容

第一章 绪论宽禁带半导体的发展及应用,2学时。第二章 宽禁带半导体氮化镓基材料的性质及制备,4学时。第三章,氮化镓基HEMT微波器件:器件结构,原理,制备,特性(直流特性,频率特性,功率特性),6学时;第四章 氮化镓基电力电子器件(二极管,三极管, HFET),6 学时。第五章 碳化硅材料的制备及性质,2学时。第六章 碳化硅双极型功率器件(PIN 二极管 双极晶体管),4学时。第七章 碳化硅单极型器件(SBD JFET MOSFET),6 学时。第八章 碳化硅单极双极混合型器件(IGBT),4 学时。第九章 功率电子器件封装及可靠性,2 学时。第十章 其它宽禁带半导体电子器件,4 学时。

参考文献

1、	陈治明,李守智,《宽禁带半导体电力电子器件及其应用》,机械工业出版社,2008。
2、	李序葆,电力电子器件及其应用,赵永健编著,机械工业出版社,1996
3、	B. Jayant Baliga, Silicon Carbide Power Devices, by World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd., 2005
4、	郝跃、张金凤、张进成著,氮化物宽禁带半导体材料与电子器件,科学出版社,2013