半导体器件的制备与表征  080502M08002H

学期:2020—2021学年(春)第二学期 | 课程属性:实验课 | 任课教师:周玉荣
授课时间: 星期一,第9、10、11 节
授课地点: 学园二224(材料学院光子薄膜实验室)
授课周次: 2、3、4、5、6、7、8
授课时间: 星期四,第9、10、11 节
授课地点: 学园二224(材料学院光子薄膜实验室)
授课周次: 2、3、4、6、7、8
课程编号: 080502M08002H 课时: 40 学分: 1.00
课程属性: 实验课 主讲教师:周玉荣 助教:
英文名称: Preparation and Characterization of Semiconductor Devices 召集人:

教学目的、要求

本课程为半导体专业硕士生和博士生的实验课,是《半导体器件物理》的后续课程,主要实验内容为半导体器件的制备与表征,通过本实验课的学习掌握常用半导体器件(pn结、异质结、肖特基结、场效应管等)的设计、制备、表征方法及其工作原理, 进一步加深对器件结构、原理的理解。
预修课程 

预修课程

半导体器件物理

教 材

《半导体器件物理》

主要内容

实验1: 肖特基结与欧姆接触;
实验2:多晶硅太阳电池制备及其内外量子效率测试;
实验3:异质结光电探测器的制备与表征;
实验4:钙钛矿太阳电池制备与表征;
实验5:IGZO薄膜场效应管的制备与表征;
实验6:有机发光二极管的制备与表征。

参考文献

施敏等,《半导体器件物理》,西安交通大学出版社, 2008。